長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上正式成立，公司主要股東包括大基金和紫光集團、湖北省科投以及湖北國芯產業(yè)投資基金等，目前為清華紫光集團的子公司。該公司被視為中國在存儲領域趕超并挑戰(zhàn)諸如三星電子，東芝，SK海力士，美光和英特爾等市場領導者的希望，這幾家市場領導者壟斷了2017年全球NAND閃存市場。
作為國家級存儲項目基地，長江存儲總投資金額達240億美元。預計項目一期建成后總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
據悉，長江存儲首批400萬美元的精密儀器已于4月5日抵達武漢，未來兩年內將從全球多地進口近3萬噸精密儀器至漢。今日，長江存儲武漢基地芯片生產機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主知識產權的32層 3D NAND閃存芯片將于年內量產。
紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國在講話中強調：國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦。在生產廠房于去年9月提前一個月封頂、32層三維NAND閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎上，今天我們又提前20天實現了芯片生產機臺搬入。這正如航母舾裝完畢，開始裝配武器彈藥，下一步就要在今年底實現芯片量產，出海遠航?；蛟S不久就可以看到采用國產三維NAND 閃存芯片的智能手機問世。未來十年，紫光計劃至少將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元。我們正處于一個偉大的時代，我們相信也必將產生偉大的企業(yè)，紫光正為此而積極奮斗。我們一定會努力完成國家賦予的歷史使命。
大基金總裁丁文武表示，目前我國通用存儲器全部依賴進口，國家存儲器基地項目進展順利，32層三維閃存芯片已經研發(fā)成功，存儲器發(fā)展戰(zhàn)略突破初現曙光，但這只是我們萬里長征的第一步，未來還要在技術研發(fā)、人才培養(yǎng)引進、成本控制、運營管理以及市場競爭力提升等方面下大力氣、下大功夫；希望長江存儲在我國存儲器產業(yè)乃至整個集成電路產業(yè)發(fā)展中闖出一條自主創(chuàng)新、打破壟斷的新路。
據悉，國家存儲器基地于去年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，這顆耗資10億美元、由1000人團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。
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