11月24日，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，市場(chǎng)內(nèi)部人士透露，隨著中國大陸加大對(duì)存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)的支持力度，過去幾年已經(jīng)有了顯著的進(jìn)步。在NAND閃存芯片方面，與三星、SK海力士等全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年。
該業(yè)內(nèi)人士指出：“雖然DRAM依然保持5年以上的技術(shù)差距，但由于NAND技術(shù)壁壘較低，中國企業(yè)在大力扶持下快速追趕，不斷縮小差距。中國企業(yè)的NAND產(chǎn)品雖然在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力上還存在不足，但顯然加快了追趕速度”。
特別值得一提的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。在2022年的閃存峰會(huì)（FMS）上，該公司正式發(fā)布了基于晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構(gòu)的第四代3D TLC NAND閃存芯片，名為X3-9070。
盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布從176層到232層量產(chǎn)之后，外界對(duì)其提出了諸多質(zhì)疑，但該公司僅用了不到一年的時(shí)間就成功量產(chǎn)了X3-9070。除了被用于致態(tài)TiPlus7100系列SSD，還被用于?？低暤腃C700 2TB SSD上，這是首個(gè)進(jìn)入零售市場(chǎng)的200+層3D NAND閃存解決方案，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商。
報(bào)道還指出，隨著半導(dǎo)體電路的小型化接近極限，中國企業(yè)正抓住先進(jìn)封裝（Efficient packaging）這個(gè)機(jī)會(huì)，進(jìn)一步縮小技術(shù)差距。在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)，先進(jìn)封裝主要封裝多個(gè)芯片，從而提高性能，被認(rèn)為是克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。
據(jù)IT之家援引市場(chǎng)研究公司IDC的數(shù)據(jù)顯示，中國大陸在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占據(jù)第二大市場(chǎng)份額。去年長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技三家公司進(jìn)入全球前10大半導(dǎo)體封裝（OSAT）公司，而韓國沒有一家公司出現(xiàn)在該榜單上。這表明中國大陸在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域正在取得重要的進(jìn)展。
綜上所述，中國大陸在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)方面取得了顯著的進(jìn)步。通過加大對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的支持和鼓勵(lì)本土企業(yè)創(chuàng)新，中國正在快速追趕全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)水平。同時(shí)，先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展也將進(jìn)一步推動(dòng)中國大陸在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)步。
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