? ? ? 處置器龍頭英特爾(intel)于25日在韓國首爾舉行的全球意見首領(lǐng)聚會上，引見了一系列最新科技里程碑，并強調(diào)英特爾在以材料為中心的運算時期中，將持續(xù)推進存儲器和貯存開展的投資與承諾。包括提供客戶共同的Intel Optane技術(shù)和Intel 3D NAND處理計劃，以便開發(fā)云端、AI和網(wǎng)絡(luò)邊緣安裝。
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? ? ? 英特爾資深副總裁暨非揮發(fā)性存儲器處理計劃事業(yè)群總經(jīng)理Rob Crooke表示，這世界產(chǎn)生材料的速度越來越快，而企業(yè)關(guān)于如何有效地處置這些材料也顯得越來越無所適從。在眾多企業(yè)中，能勝出的主要區(qū)別就在于誰可以從這些材料中獲取價值。這些任務(wù)將需求在存儲器和貯存層級構(gòu)造停止先進創(chuàng)新，而這正是英特爾目前所推進的工作。
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? ? ? 英特爾在此次活動中提到以下最新科技里程碑，包括將在位于美國新墨西哥州Rio Ranch o的工廠拓展全新Intel Optane技術(shù)研發(fā)作產(chǎn)線的計畫，以及宣布代號為“Barlow Pass”的第2代Intel Optane DC持續(xù)性存儲器(Persistent Memory)，將搭載新一代Intel Xeon可擴大處置器，估計將于2020年推出。
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? ? ? 同時，英特爾專為用于材料中心的SSD推出搶先業(yè)界的144層4階貯存單元(Quad Level Cell，QLC)NAND快閃存儲器，也估計將在2020年推出。
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? ? ? 英特爾進一步指出，機器所產(chǎn)生的大量材料通常需透過即時剖析后，才干賦予材料價值。此項需求突顯了存儲器貯存層級構(gòu)造所產(chǎn)生的缺口，即DRAM容量缺乏、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Intel Optane DC持續(xù)性存儲器來填補，就連更大量的材料集(data set)也可透過貯存介面銜接的Intel Optane技術(shù)來填補缺口。
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? ? ? 此外，硬盤速度越來越不能滿足以材料為中心的運算環(huán)境，因而Intel?Optane技術(shù)與QLC NAND的組合可改善此情況。整體而言，Intel Optane是材質(zhì)、架構(gòu)、與效能兼具的特殊組合，是現(xiàn)有的存儲器與貯存技術(shù)無法相比的。
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? ? ? 最后，英特爾存儲器和貯存處理計劃正在輔佐包括微軟在內(nèi)的眾多客戶。目前微軟正在對其客戶端作業(yè)系統(tǒng)停止嚴(yán)重更新，以援助Intel Optane持續(xù)性存儲器所提供像是快速啟動和游戲讀取等眾多新功用與特征。而英特爾同時也為重要企業(yè)客戶展現(xiàn)了新一代Intel Optane技術(shù)單連結(jié)埠固態(tài)硬盤，相關(guān)產(chǎn)品估計將于2020年上市。
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