封裝參數(shù)/封裝: | PG-TDSON-8-34 | ? |
外形尺寸/封裝: | PG-TDSON-8-34 | ? |
其他/不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值): | 3.8V @ 95uA | ? |
其他/不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值): | 5525pF @ 40V | ? |
其他/Vgs(最大值): | ±20V | ? |
其他/25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id): | 100A(Tc) | ? |
其他/功率耗散(最大值): | 167W(Tc) | ? |
其他/技術(shù): | MOSFET(金屬氧化物) | ? |
其他/漏源電壓(Vdss): | 80V | ? |
其他/工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) | ? |
其他/封裝/外殼: | 8-PowerTDFN | ? |
其他/FET類(lèi)型: | N 通道 | ? |
其他/不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): | 3.1 毫歐 @ 50A,10V | ? |
其他/不同Vgs時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): | 76nC @ 10V | ? |
其他/驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn): | 6V,10V | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | Compliant | ? |
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