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低飽和電壓 PNP 晶體管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信號(hào)的重大突破)低飽和電壓 PNP 雙極接線晶體管。 這些設(shè)備具有極低集電極-發(fā)射極飽和電壓和高集電極電流容量,采用緊湊的空間節(jié)省型封裝。 這些晶體管減少損失,可在用于切換和數(shù)字應(yīng)用時(shí)減少熱量的產(chǎn)生并整體提高效率。 ### 雙極晶體管,Nexperia
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技術(shù)參數(shù)/最小電流放大倍數(shù)(hFE): | 25 | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -65 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 2 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 4 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SOT-223 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 6.7 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 3.7 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | SOT-223 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | | ? |
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