英飛凌科技旗下的 IR HiRel 公司，為滿足下一代 “新太空”（NewSpace）項(xiàng)目需求，成功拓展了其抗輻射（rad - tolerant）MOSFET 產(chǎn)品組合。新推出的一款 P 溝道器件，專為近地軌道（LEO）航天應(yīng)用打造，為工程師提供了兼具成本效益與高性能的解決方案。
新型 P 溝道 MOSFET 亮點(diǎn)突出
這款 60V 的 P 溝道 MOSFET（型號(hào) BUP），補(bǔ)充了英飛凌現(xiàn)有的 60V 和 150V N 溝道器件 。與傳統(tǒng)抗輻射加固器件不同，它采用塑料封裝，顯著降低成本，還能通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)制造工藝實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量生產(chǎn) 。該器件依據(jù) AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)測(cè)試完成空間應(yīng)用認(rèn)證，歷經(jīng)逸氣、鹽霧等嚴(yán)格測(cè)試。其單粒子效應(yīng)（SEEs）評(píng)定為 46 MeV?cm2/mg LET，總電離劑量（TID）30 到 50 krad（Si），工作溫度范圍為–55°C 到 175°C 。它導(dǎo)通電阻 38 毫歐，最大電流能力 35A，采用 PG - TO252 - 3 表面貼裝塑料封裝，便于集成。
技術(shù)與產(chǎn)品組合優(yōu)勢(shì)顯著
英飛凌運(yùn)用先進(jìn)技術(shù)，如 N 溝道 MOSFET 中的專利 CoolMOS 超級(jí)結(jié)技術(shù)，使 FET 開(kāi)關(guān)性能更優(yōu) 。公司不斷豐富產(chǎn)品組合，目前提供四款針對(duì)特定應(yīng)用優(yōu)化的 N 溝道 MOSFET（60V 和 150V 版本）及 60V P 溝道 MOSFET ，給予工程師更多選擇。此外，英飛凌還積極拓展抗輻射產(chǎn)品系列，開(kāi)發(fā)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵 HEMT 。
制造與認(rèn)證確保品質(zhì)
英飛凌的功率組件在成熟生產(chǎn)基地制造，N 溝道器件于德國(guó)德累斯頓前端制造，P 溝道 MOSFET 在馬來(lái)西亞居林生產(chǎn)，后端生產(chǎn)和組裝在亞洲（馬來(lái)西亞馬六甲和印度）進(jìn)行，利用汽車(chē)級(jí)生產(chǎn)線保障質(zhì)量，優(yōu)化成本與交貨期 。所有抗輻射功率分立器件依據(jù) AEC - Q101 Rev. E 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，通過(guò)逸氣、鹽霧等關(guān)鍵測(cè)試，滿足可靠性要求，降低成本。
應(yīng)用廣泛，未來(lái)可期
P 溝道 MOSFET 典型應(yīng)用于功率管理電路、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充放電和開(kāi)關(guān)電源等 。英飛凌持續(xù)投資擴(kuò)展抗輻射產(chǎn)品家族，未來(lái)將推出低側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和 30V P 溝道 MOSFET 。公司提供 SEE 和 TID 認(rèn)證測(cè)試報(bào)告、SPICE 模型（P 溝道 MOSFET 模型即將發(fā)布）及半橋配置評(píng)估板，助力工程師設(shè)計(jì)。
英飛凌通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品與技術(shù)，為商業(yè)太空應(yīng)用提供了性能、成本與可用性平衡的功率管理方案。億配芯城與ICGOODFIND將持續(xù)關(guān)注英飛凌及行業(yè)動(dòng)態(tài)。
