2月20日消息，英飛凌已成功出貨首批基于更大的 200 毫米晶圓的碳化硅（SiC）功率器件，成為率先推出首批采用 200 毫米晶圓制造的 SiC 器件的企業(yè)。這一舉措標(biāo)志著英飛凌在 SiC 領(lǐng)域邁出了重要一步。
突破傳統(tǒng)，200 毫米晶圓成成本關(guān)鍵
在 SiC 器件制造領(lǐng)域，幾乎所有的 SiC 器件以往都采用 150 毫米晶圓制造，而使用更大的 200 毫米晶圓面臨著諸多重大挑戰(zhàn)。然而，采用 200 毫米晶圓制造器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步。目前，其他公司如 Wolfspeed、意法半導(dǎo)體（ST）、安森美（onsemi）以及羅姆、三菱電機(jī)等也在積極開發(fā) 200 毫米技術(shù)。
兩地協(xié)作，生產(chǎn)過渡穩(wěn)步推進(jìn)
此次高壓器件是在英飛凌位于奧地利菲拉赫的工廠制造的。本季度這些器件的出貨，也是英飛凌馬來西亞居林制造基地從新建的 Module 3 中的 150 毫米晶圓過渡到 200 毫米晶圓的關(guān)鍵一步。這一過渡對于提升產(chǎn)能和優(yōu)化生產(chǎn)流程具有重要意義。
技術(shù)共享，保障高效運(yùn)營
英飛凌的菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地通過共享技術(shù)和工藝，實(shí)現(xiàn)了 SiC 和氮化鎵（GaN）制造的快速提升，同時(shí)確保了運(yùn)營的平穩(wěn)高效。這種協(xié)同合作模式為英飛凌的生產(chǎn)提供了有力支持。
官方發(fā)聲，確保產(chǎn)能與質(zhì)量
英飛凌首席運(yùn)營官 Rutger Wijburg 表示：“我們的 SiC 生產(chǎn)正按計(jì)劃推進(jìn)，我們?yōu)橄蚩蛻敉瞥龅牡谝慌a(chǎn)品感到自豪。通過分階段提高菲拉赫和居林的 SiC 產(chǎn)量，我們正在提高成本效率并繼續(xù)確保產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，我們正在確保制造能力能夠滿足對基于 SiC 的功率半導(dǎo)體的需求。”
億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，英飛凌推出首批采用 200 毫米晶圓制造的 SiC 器件，在 SiC 功率器件制造領(lǐng)域具有開創(chuàng)性意義。其不僅推動(dòng)了自身技術(shù)發(fā)展和成本優(yōu)化，也為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注 SiC 技術(shù)動(dòng)態(tài)，憑借自身在電子元器件領(lǐng)域的優(yōu)勢，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，助力行業(yè)發(fā)展。
